|
|

avaa valikko

Investigation of Inversion Layer Mobility in N-Channel Mosfets with Thin Gate Oxide
108,50 €
Open Dissertation Press
Sivumäärä: 222 sivua
Asu: Pehmeäkantinen kirja
Julkaisuvuosi: 2017, 27.01.2017 (lisätietoa)
Kieli: Englanti
Tuotteella ei tuotekuvausta.

LISÄÄ OSTOSKORIIN
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
Hankintapalvelu
Tuotteella on huono saatavuus ja tuote toimitetaan hankintapalvelumme kautta. Tilaamalla tämän tuotteen hyväksyt palvelun aloittamisen.
Seuraa saatavuutta.
Myymäläsaatavuus
Helsinki
Tapiola
Turku
Tampere
Investigation of Inversion Layer Mobility in N-Channel Mosfets with Thin Gate OxideSuurenna kuva
Näytä kaikki tuotetiedot
ISBN:
9781374743373
Kansikuva tuotteelle