|
|

avaa valikko

A Study of Gate-Oxide Leakage in Mos Devices
Stephen Fleischer
127,60 €
Open Dissertation Press
Sivumäärä: 222 sivua
Asu: Kovakantinen kirja
Julkaisuvuosi: 2017, 27.01.2017 (lisätietoa)
Kieli: Englanti
Tuotteella ei tuotekuvausta.

LISÄÄ OSTOSKORIIN
Tuotetta lisätty
ostoskoriin kpl
Siirry koriin
Hankintapalvelu
Tuotteella on huono saatavuus ja tuote toimitetaan hankintapalvelumme kautta. Tilaamalla tämän tuotteen hyväksyt palvelun aloittamisen.
Seuraa saatavuutta.
Myymäläsaatavuus
Helsinki
Tapiola
Turku
Tampere
A Study of Gate-Oxide Leakage in Mos DevicesSuurenna kuva
Näytä kaikki tuotetiedot
ISBN:
9781374776289
Aihealue:
Ulkomaiset kirjat
Kansikuva tuotteelle